1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel), SiC MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1EDN9550BXTSA1 за ціною від 20.03 грн до 79.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V Supplier Device Package: PG-SOT23-6 Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel), SiC MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers Y |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single Channel High Side and low-side gate driver |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1EDN9550BXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv T/R |
товару немає в наявності |