Продукція > INFINEON > 1EDN9550BXTSA1
1EDN9550BXTSA1

1EDN9550BXTSA1 INFINEON

4098591.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+28.37 грн
500+23.44 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDN9550BXTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 1EDN9550BXTSA1 за ціною від 18.40 грн до 50.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1EDN9550BXTSA1 1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf Gate Drivers GATE DRIVER
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.36 грн
10+33.15 грн
25+25.87 грн
100+22.62 грн
250+21.07 грн
500+20.16 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 1EDN9550BXTSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel), SiC MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
10+32.45 грн
25+29.17 грн
100+23.96 грн
250+22.32 грн
500+21.33 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 1EDN9550BXTSA1 INFINEON 4098591.pdf Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.90 грн
23+36.18 грн
100+28.37 грн
500+23.44 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf
1EDN9550BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers GATE DRIVER
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.36 грн
10+33.15 грн
25+25.87 грн
100+22.62 грн
250+21.07 грн
500+20.16 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 Infineon-1EDN9550B-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dbca96b017dbd1b161e061e
1EDN9550BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 400 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 1ns, 1ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel), SiC MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 5.2A, 9.4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.58 грн
10+32.45 грн
25+29.17 грн
100+23.96 грн
250+22.32 грн
500+21.33 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN9550BXTSA1 4098591.pdf
1EDN9550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN9550BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, SJ-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.90 грн
23+36.18 грн
100+28.37 грн
500+23.44 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.