Технічний опис 1N1183 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-203AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N1183
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N1183 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Si 50V 35A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
|
| 1N1183 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-203AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
||
| 1N1183 | Виробник : Microchip Technology |
Description: STANDARD RECTIFIER Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.19 V @ 90 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
||
 |
1N1183 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 35A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
|
 |
1N1183 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers Std Rectifier |
товару немає в наявності |