
1N1190R GeneSiC Semiconductor
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 821.98 грн |
10+ | 677.73 грн |
25+ | 548.96 грн |
100+ | 492.45 грн |
300+ | 457.96 грн |
500+ | 451.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N1190R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N1190R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N1190R | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
1N1190R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N1190R | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N1190R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |