1N1190R GeneSiC Semiconductor
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 853.52 грн |
| 10+ | 703.73 грн |
| 25+ | 570.03 грн |
| 100+ | 511.35 грн |
| 300+ | 475.53 грн |
| 500+ | 468.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N1190R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N1190R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N1190R | Виробник : IR |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 1N1190R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
||
|
1N1190R | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
1N1190R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |


