
1N1202A SOLID STATE

Description: SOLID STATE - 1N1202A - STANDARD DIODE, 12A, 200V, DO-4
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-4
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Single
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N1202A SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 1N1202A - STANDARD DIODE, 12A, 200V, DO-4, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-4, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.2V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Single, Betriebstemperatur, max.: 200°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N1202A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N1202A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N1202A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N1202A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N1202A | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N1202A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N1202A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N1202A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
1N1202A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |