на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 940.81 грн |
| 10+ | 766.19 грн |
| 25+ | 617.76 грн |
| 100+ | 555.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N2130A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 150V 60A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N2130A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N2130A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Switching 150V 60A 2-Pin DO-5 |
товар відсутній |
||
 |
1N2130A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товар відсутній |