Технічний опис 1N2135A Vishay
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 70A, Supplier Device Package: DO-5 (DO-203AB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N2135A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N2135A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
1N2135A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
||
1N2135A | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 70A Supplier Device Package: DO-5 (DO-203AB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N2135A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N2135A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |