
1N3070TR onsemi

Description: DIODE STANDARD 200V 500MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 2.22 грн |
20000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3070TR onsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 500MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V.
Інші пропозиції 1N3070TR за ціною від 1.91 грн до 13.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3070TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 48403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 500mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW Type of diode: rectifying Case: DO35 Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Features of semiconductor devices: small signal Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V |
на замовлення 28070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 500mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW Type of diode: rectifying Case: DO35 Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Features of semiconductor devices: small signal Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
1N3070TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N3070TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N3070/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: DO-7 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 175 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N3070/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |