
1N3595TR ON Semiconductor
на замовлення 23382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
23382+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3595TR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-204AH, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N35, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N3595TR за ціною від 1.81 грн до 17.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3595TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 200mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 3uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 8pF Max. forward impulse current: 4A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 3µA Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 3µs |
на замовлення 5359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V |
на замовлення 12195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 200mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 3uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 8pF Max. forward impulse current: 4A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 3µA Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 3µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5359 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 132452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
1N3595 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 150V 150MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N3595TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |