Технічний опис 1N3613 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N3613
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N3613 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin Case A Bag |
товару немає в наявності |
|
| 1N3613 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 5000ns 2-Pin Case 101 |
товару немає в наявності |
||
| 1N3613 | Виробник : MICROSEMI |
1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1N3613 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
1N3613 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N3613 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers Rectifier |
товару немає в наявності |
|
 |
1N3613 | Виробник : Semtech |
Rectifiers D MET 1A STD 600V |
товару немає в наявності |