
1N3649 Solid State Inc.

Description: DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO4
Packaging: Box
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3.3A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 151.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3649 Solid State Inc.
Description: DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO4, Packaging: Box, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3.3A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N3649
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3649 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |