
1N3671AR GeneSiC Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 534.70 грн |
10+ | 425.19 грн |
25+ | 339.71 грн |
100+ | 297.98 грн |
250+ | 278.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3671AR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 800V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3671AR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N3671AR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
1N3671AR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
1N3671AR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |