на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1011.32 грн |
| 10+ | 896.68 грн |
| 50+ | 710.17 грн |
| 100+ | 640.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3766 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3766
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N3766 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |