| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 771.24 грн |
| 10+ | 635.67 грн |
| 25+ | 514.78 грн |
| 100+ | 462.04 грн |
| 300+ | 429.69 грн |
| 500+ | 423.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3768 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Supplier Device Package: DO-5, Current - Average Rectified (Io): 35A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 1N3768 за ціною від 3882.78 грн до 4241.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N3768 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifiers Std Rectifier |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|