
1N3889R GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 707.36 грн |
10+ | 552.88 грн |
25+ | 508.90 грн |
100+ | 421.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3889R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3889R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3889R | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3889R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N3889R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N3889R | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3889R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |