Технічний опис 1N3957 Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N3957
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3957 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3957 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
1N3957 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
1N3957 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N3957 | Виробник : Semtech |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3957 | Виробник : Microchip Technology |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |