
1N3957GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 33.47 грн |
16+ | 21.74 грн |
100+ | 12.80 грн |
1000+ | 9.05 грн |
3000+ | 7.72 грн |
9000+ | 6.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3957GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N3957GP-E3/73
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3957GP-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3957GP-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N3957GP-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |