на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3290+ | 3.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4003G EIC
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N4003G за ціною від 1.48 грн до 25.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : EIC | Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003-G | Виробник : Comchip Technology | Rectifiers VR=200V, IO=1A |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : onsemi | Rectifiers 200V 1A Standard |
на замовлення 7873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 7123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 887 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N4003-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : EIC | Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003-G | Виробник : Comchip Technology | Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4003G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |