 
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 307+ | 2.31 грн | 
| 387+ | 1.83 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4006G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції 1N4006G за ціною від 2.04 грн до 17.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 1N4006G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag | на замовлення 18000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag | на замовлення 14932 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ONSEMI |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. | на замовлення 1675 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : onsemi |  Description: DIODE STANDARD 800V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 8163 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ONSEMI |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1675 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag | на замовлення 14932 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : onsemi |  Rectifiers 800V 1A Standard | на замовлення 9795 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 9975 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006-G | Виробник : Comchip Technology |  Rectifiers VR=800V, IO=1A | на замовлення 6369 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |  Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 14868 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : Good-Ark |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : Good-Ark |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : EIC Semiconductor |  Diode 800V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 800V 1A 2-Pin DO-41 Ammo | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006-G | Виробник : Comchip Technology |  Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : Taiwan Semiconductor |      Rectifiers 1A, 800V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | 1N4006G | Виробник : ON Semiconductor |  Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag | товару немає в наявності |