
1N4007G ONSEMI

Description: ONSEMI - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 52291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
78+ | 10.65 грн |
130+ | 6.40 грн |
198+ | 4.18 грн |
500+ | 3.35 грн |
1000+ | 2.67 грн |
5000+ | 2.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4007G ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 1N4007G за ціною від 0.88 грн до 30.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4007G Код товару: 87230
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 284000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 79192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 370583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 324071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 86565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 11215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 7648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 16601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : YY |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
1N4007G |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : PanJit International |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Rectron |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4007G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
1N4007G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF |
товару немає в наявності |