Технічний опис 1N4101D-1 Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Packaging: Bag, Tolerance: ±1%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH), Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6.3 V.
Інші пропозиції 1N4101D-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4101D-1 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35Packaging: Bag Tolerance: ±1% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6.3 V |
товар відсутній |
|
| 1N4101D-1 | Виробник : Microsemi |
Zener Diodes |
товар відсутній |