1N4150 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 200MA 50V TH DIODE-SWITCHING SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4150 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 200MA 50V TH DIODE-SWITCHING SIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Supplier Device Package: DO-35, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 6 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial.
Інші пропозиції 1N4150 TR TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N4150 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Small Signal Switching Diodes 50Vrwm 200mA 1.0A 4.0A 500mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N4150 TR TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Small Signal Switching Diodes 50Vrwm 200mA 1.0A 4.0A 500mW
Small Signal Switching Diodes 50Vrwm 200mA 1.0A 4.0A 500mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.



