1N4150TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 50V 150MA DO204AH
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4150TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-204AH, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 920mV, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції 1N4150TAP за ціною від 1.67 грн до 13.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N4150TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 50V 150MA DO204AH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N4150TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Small Signal Switching Diodes Vr/50V Io/150mA |
на замовлення 49080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N4150TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N4150TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.6A Max. forward impulse current: 4A Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W |
на замовлення 10652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N4150TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.6A Max. forward impulse current: 4A Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10652 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N4150TAP | Виробник : Vishay |
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
1N4150TAP | Виробник : Vishay |
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N4150TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 4ns Automotive 2-Pin DO-35 Ammo |
товару немає в наявності |