1N4245 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4245 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: A, Axial, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: A, Axial, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 1N4245
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N4245 | MICROSEMI |
A/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1N4245 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
1N4245 | Microchip Technology |
Rectifiers 200V 1A UFR,FRR THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |