Технічний опис 1N4247/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N4247/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4247/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 1APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N4247/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 600V 1A UFR,FRR THT TR |
товару немає в наявності |
|
| 1N4247 TR | Виробник : Central Semiconductor | Rectifiers |
товару немає в наявності |