1N4447TR Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
на замовлення 28980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11539+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4447TR Fairchild Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N4447TR за ціною від 26.62 грн до 79.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 75V 0.2A |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 75V 0.2A |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 75V 0.2A |
товар відсутній |
|||||||
 |
1N4447TR | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode |
товар відсутній |