1N4448 A0G Taiwan Semiconductor
Виробник: Taiwan SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 0.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4448 A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.
Інші пропозиції 1N4448 A0G за ціною від 1.45 грн до 11.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4448 A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N4448 A0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N4448 A0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N4448 A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N4448 A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V, 0.15A, Switching Diode & Array |
товар відсутній |