Технічний опис 1N4449 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N4449
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4449 | Виробник : EIC Semiconductor |
 High Speed Switching Diode |
товару немає в наявності |
|
| 1N4449 | Виробник : MICROSEMI |
DO35/SIGNAL OR COMPUTER DIODE 1N4449 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
1N4449 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N4449 | Виробник : Microchip Technology |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode |
товару немає в наявності |