1N4500E3 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 80V 300MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4500E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 80V 300MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 6 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V.
Інші пропозиції 1N4500E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N4500E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |