1N485BTR ON Semiconductor
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
237+ | 2.44 грн |
241+ | 2.41 грн |
244+ | 2.37 грн |
248+ | 2.25 грн |
252+ | 2.05 грн |
500+ | 1.94 грн |
1000+ | 1.9 грн |
3000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N485BTR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH), Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції 1N485BTR за ціною від 2.2 грн до 22.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N485BTR | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 175 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching General Purpose Low Leakage |
на замовлення 14835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 175 V |
на замовлення 28979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : ON Semiconductor | Diode Small Signal Switching 200V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 3649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Small Signal Switching 200V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N485BTR | Виробник : ON Semiconductor | Diode Small Signal Switching 200V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N485B/TR | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 180V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N485B/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N485B TR | Виробник : Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO41 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N485B/TR | Виробник : Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode |
товар відсутній |