
на замовлення 39336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8572+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4935G ON Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N4935G за ціною від 1.32 грн до 29.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial Leaded Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : EIC |
![]() |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
1N4935G |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N4935G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59-10; DO41 Max. forward voltage: 1.2V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N4935G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N4935G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59-10; DO41 Max. forward voltage: 1.2V Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |