
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4505+ | 2.71 грн |
4588+ | 2.66 грн |
5837+ | 2.09 грн |
8772+ | 1.34 грн |
9147+ | 1.19 грн |
15000+ | 1.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4937G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4937G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N4937G за ціною від 1.23 грн до 24.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4937G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 17523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 263297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 12392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 9974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 10798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
1N4937G | Виробник : World Products Inc. |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
1N4937G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41 Mounting: THT Case: CASE59-10; DO41 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 200ns Max. forward impulse current: 30A Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4937G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
1N4937G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
1N4937G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41 Mounting: THT Case: CASE59-10; DO41 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 200ns Max. forward impulse current: 30A Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching |
товару немає в наявності |