Технічний опис 1N4942 MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N4942
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4942 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N4942 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N4942 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N4942 | Виробник : Semtech |
![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
1N4942 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
|
1N4942 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: Axial Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
|
1N4942 | Виробник : Semtech |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N4942 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |