
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1179+ | 10.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5059-TR Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57, Case: SOD57, Mounting: THT, Kind of package: 10 inch reel, Reverse recovery time: 4µs, Leakage current: 0.1mA, Max. forward voltage: 1.15V, Load current: 2A, Max. forward impulse current: 50A, Quantity in set/package: 5000pcs., Max. off-state voltage: 200V, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Type of diode: rectifying, Semiconductor structure: single diode, Capacitance: 40pF, кількість в упаковці: 15000 шт.
Інші пропозиції 1N5059-TR за ціною від 3.12 грн до 22.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5059TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 17090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 41637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5059TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5059TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 5000pcs. Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
1N5059TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 5000pcs. Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF |
товару немає в наявності |