Технічний опис 1N5059TR Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5059TR за ціною від 2.23 грн до 122.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5059TR | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N5059TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 41118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
1N5059TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECT 200V 2A AXL AVALANCHE |
на замовлення 15131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
1N5059TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
1N5059TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| 1N5059TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 5000pcs. Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |