Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5060TAP Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5060TAP за ціною від 10.79 грн до 171.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5060TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5060TAP | Vishay |
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5060TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 0.4kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5060TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 8184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5060TAP | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 25931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5060TAP | Vishay |
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N5060TAP |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.66 грн |
| 10000+ | 10.79 грн |
| 1N5060TAP |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 42.72 грн |
| 375+ | 37.72 грн |
| 500+ | 33.00 грн |
| 1000+ | 29.81 грн |
| 1N5060TAP |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Capacitance: 40pF
Reverse recovery time: 4µs
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Capacitance: 40pF
Reverse recovery time: 4µs
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.68 грн |
| 16+ | 28.25 грн |
| 100+ | 21.29 грн |
| 250+ | 18.83 грн |
| 500+ | 16.97 грн |
| 1000+ | 16.37 грн |
| 1N5060TAP |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.78 грн |
| 11+ | 28.33 грн |
| 100+ | 22.93 грн |
| 500+ | 16.49 грн |
| 1000+ | 14.00 грн |
| 2000+ | 13.50 грн |
| 1N5060TAP |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM
Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 25931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.04 грн |
| 10+ | 107.80 грн |
| 100+ | 64.28 грн |
| 500+ | 50.89 грн |
| 1000+ | 45.46 грн |
| 2500+ | 44.83 грн |
| 5000+ | 43.06 грн |






