1N5060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 13.71 грн |
| 10000+ | 12.20 грн |
| 15000+ | 11.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57, Case: SOD57, Mounting: THT, Kind of package: 10 inch reel, Type of diode: rectifying, Quantity in set/package: 5000pcs., Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Capacitance: 40pF, Max. off-state voltage: 0.4kV, Max. forward voltage: 1.15V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 4µs, Max. forward impulse current: 50A, Leakage current: 0.1mA, кількість в упаковці: 15000 шт.
Інші пропозиції 1N5060TR за ціною від 10.96 грн до 42.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5060TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 13990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5060TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 18303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5060TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 12051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5060TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
1N5060TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 400V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1N5060TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 1N5060TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA |
товару немає в наявності |