
1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 15.25 грн |
10000+ | 13.59 грн |
15000+ | 13.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1N5061TR за ціною від 13.14 грн до 37.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 38861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5061TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
1N5061TR Код товару: 175651
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 5000pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs |
товару немає в наявності |