
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20000+ | 14.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5061TR Vishay
Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1N5061TR за ціною від 11.46 грн до 31.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 32350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5061TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
1N5061TR Код товару: 175651
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5061TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 5000pcs. Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
1N5061TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; 10 inch reel; Ifsm: 50A; SOD57 Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: 10 inch reel Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Quantity in set/package: 5000pcs. Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF |
товару немає в наявності |