на замовлення 23371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1116+ | 11.05 грн |
| 1133+ | 10.88 грн |
| 1151+ | 10.71 грн |
| 1169+ | 10.17 грн |
| 1187+ | 9.27 грн |
| 3000+ | 8.75 грн |
| 6000+ | 8.61 грн |
| 15000+ | 8.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5062TAP Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N5062TAP за ціною від 9.37 грн до 39.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 17692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 16373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 23371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 4µs Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N5062TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |


