на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 3.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5062TR Vishay
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5062, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 1N5062TR за ціною від 8.18 грн до 31.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 18284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 18284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 46567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 25386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 19657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 46567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 1N5062 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GENERAL PURPOSE TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| 1N5062TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |