Технічний опис 1N5230B A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 100°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V.
Інші пропозиції 1N5230B A0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5230B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V |
товар відсутній |
|
 |
1N5230B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode |
товар відсутній |