
1N5230B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5230B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - 1N5230B-TAP - ZENER DIODE, 500mW, 4.7V, DO-35, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Through Hole, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Zener-Spannung, nom.: 4.7V, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1N5230B-TAP за ціною від 1.54 грн до 16.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5230B-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5230B-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 53232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5230B-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5230B-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5230B-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5230B-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |