
1N5240B A0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 15.28 грн |
35+ | 10.16 грн |
100+ | 5.64 грн |
500+ | 3.50 грн |
1000+ | 3.05 грн |
2500+ | 2.74 грн |
5000+ | 2.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5240B A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 100°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V, Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8 V.
Інші пропозиції 1N5240B A0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5240B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N5240B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8 V |
товару немає в наявності |