
1N5240B A0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 17.08 грн |
28+ | 12.12 грн |
100+ | 5.71 грн |
1000+ | 3.07 грн |
5000+ | 2.56 грн |
10000+ | 2.05 грн |
25000+ | 1.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5240B A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 100°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V, Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8 V.
Інші пропозиції 1N5240B A0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5240B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N5240B A0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8 V |
товару немає в наявності |