1N5397GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.79 грн |
16+ | 20.35 грн |
100+ | 10.62 грн |
500+ | 9.81 грн |
1000+ | 6.94 грн |
2000+ | 6.08 грн |
10000+ | 5.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5397GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5397GP-E3/73
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N5397GP-E373 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 2000ns 2-Pin DO-15 Ammo |
товар відсутній |
||
1N5397GP-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |