
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1880+ | 4.02 грн |
3000+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5401G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5401, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 1N5401G за ціною від 4.33 грн до 35.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5401G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 5603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 36757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 6296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 2871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5401 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5401G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |