
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 6.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5404G EIC
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5404G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5404, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5404G за ціною від 5.23 грн до 69.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 262800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 10709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 3406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 17276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 29278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5404 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Mounting: THT Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 200A |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Mounting: THT Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Leakage current: 50µA Mounting: THT Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 200A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO27 Leakage current: 50µA Mounting: THT Kind of package: bulk Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5404G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; DO201AD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Mounting: THT Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5404G | Виробник : Lite-On Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5404G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5404G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5404-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
1N5404G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; DO201AD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Mounting: THT Type of diode: rectifying |
товару немає в наявності |