1N5406GP-E3/54 Vishay General Semiconductor
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.55 грн |
| 10+ | 90.37 грн |
| 100+ | 62.53 грн |
| 500+ | 52.68 грн |
| 1400+ | 44.68 грн |
| 2800+ | 41.35 грн |
| 4200+ | 41.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5406GP-E3/54 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5406GP-E3/54
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5406GP-E3/54 | Виробник : Vishay |
 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
товар відсутній |
|
 |
1N5406GP-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товар відсутній |