на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2400+ | 6.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407G-T Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - 1N5407G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 2000 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 2000ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 1N5407G-T за ціною від 6.17 грн до 29.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5407G-T | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201ADPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N5407G-T | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 11899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G-T | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N5407G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 2000 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 2000ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G-T | Виробник : Diodes Incorporated |
Rectifiers 3.0A 800V |
на замовлення 2767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N5407G-T | Виробник : Diodes Inc |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 2000ns 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
1N5407G-T | Виробник : Rectron |
Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1N5407G-T | Виробник : Diodes Zetex |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
1N5407G-T | Виробник : Rectron |
Rectifiers DO-201AD 3A 800V GP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 1N5407G-T | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 125A; DO201AD Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 2µs Max. forward impulse current: 125A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: THT Case: DO201AD Capacitance: 40pF |
товару немає в наявності |