1N5407GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.79 грн |
| 10+ | 45.58 грн |
| 100+ | 27.48 грн |
| 500+ | 22.99 грн |
| 1000+ | 19.49 грн |
| 2000+ | 18.63 грн |
| 5000+ | 17.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407GP-E3/73 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5407GP-E3/73
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5407GP-E3/73 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 800V 3A 5000ns 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
|
|
|
1N5407GP-E3/73 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 3A 5000ns 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
|
 |
1N5407GP-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товар відсутній |