
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9000+ | 10.67 грн |
10000+ | 10.18 грн |
15000+ | 10.08 грн |
20000+ | 9.62 грн |
25000+ | 8.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408-E3/73 Vishay
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N5408-E3/73 за ціною від 8.27 грн до 44.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
1N5408-E3/73 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO201AD; Ufmax: 1.2V Mounting: THT Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.2V Load current: 3A Max. load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1kV Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
1N5408-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
1N5408-E3\73 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1000V,SILASTIC RECT. |
товару немає в наявності |