1N5417TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.68 грн |
| 10+ | 173.85 грн |
| 50+ | 134.58 грн |
| 100+ | 114.45 грн |
| 500+ | 94.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5417TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5417TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5417TR | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 1N5417TR |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)