1N5417E3/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5417E3/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A.
Інші пропозиції 1N5417E3/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5417E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 200 V UFR,FRR |
товар відсутній |